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IPB60R040C7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 50 A, 0.034 ohms, TO-263 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R040C7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5175
Re-reeling (Rollos a medida)93AC7103RL
Cinta adhesiva93AC7103
Rango de ProductoCoolMOS C7
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11 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $12.930 | $12.93 |
| Total Precio | $12.93 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.930 |
| 50+ | $9.790 |
| 100+ | $8.330 |
| 250+ | $8.080 |
| 500+ | $7.880 |
| 1000+ | $7.680 |
| 2500+ | $7.530 |
| 5000+ | $7.370 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $7.450 |
| 3000+ | $7.300 |
| 5000+ | $7.150 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R040C7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5175
Re-reeling (Rollos a medida)93AC7103RL
Cinta adhesiva93AC7103
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd227W
Disipación de Potencia227W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
227W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto