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IPB200N25N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB200N25N3GATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1433
Cinta adhesiva79X1433
También conocido comoIPB200N25N3 G, SP000677896
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5,636 En Inventario
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $8.160 | $8.16 |
| Total Precio | $8.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.160 |
| 10+ | $5.310 |
| 25+ | $4.900 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB200N25N3GATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1433
Cinta adhesiva79X1433
También conocido comoIPB200N25N3 G, SP000677896
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id64A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0175ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB200N25N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IPB200N25N3 G es un producto MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología de referencia líder OptiMOS™. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- El RDS más bajo de la industria (ON)
- Qg y Qgd más bajos
- FOM más bajo del mundo, calificación MSL 1
- La más alta eficiencia
- Densidad de potencia más alta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0175ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
64A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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