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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB180P04P4L02ATMA1
No. Parte Newark85X6020
También conocido comoIPB180P04P4L-02, SP000709460
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.150 |
| 10+ | $2.740 |
| 25+ | $2.570 |
| 50+ | $2.390 |
| 100+ | $2.220 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.15
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB180P04P4L02ATMA1
No. Parte Newark85X6020
También conocido comoIPB180P04P4L-02, SP000709460
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id180A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0018ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The IPB180P04P4L-02 is an OptiMOS™ P2 P-channel logic level enhancement mode Power Transistor feature intended for reverse battery protection, no charge pump required for high side drive and simple interface drive circuit.
- High current capability
- Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
- AEC-Q101 Qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green product
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0018ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IPB180P04P4L02ATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto