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IPB065N15N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB065N15N3GATMA1
No. Parte Newark85X6014
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.080 |
| 10+ | $5.270 |
| 25+ | $4.960 |
| 50+ | $4.660 |
| 100+ | $4.520 |
| 250+ | $4.280 |
| 500+ | $4.060 |
| 1000+ | $3.820 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB065N15N3GATMA1
No. Parte Newark85X6014
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0065
Resistencia de Activación Rds(on)0.0052ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ P3
- Nivel normal de canal N
- Excelente producto de carga de puerta xR DS (encendido) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Temperatura de operación de 175°C
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Libre de halógenos según IEC61249-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0065
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0052ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPB065N15N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto