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IPB034N03LGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB034N03LGATMA1
No. Parte Newark60R2650
También conocido comoIPB034N03L G, SP000304126
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB034N03LGATMA1
No. Parte Newark60R2650
También conocido comoIPB034N03L G, SP000304126
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0034
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd94W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia94
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
El IPB034N03L G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería. Está disponible en configuración de medio puente.
- Fácil de diseñar en
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Nivel lógico
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Avalancha clasificada
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
94W
Disipación de Potencia
94
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0034
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto