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IPB026N10NF2SATMA1
MOSFET, CANAL N, 100V, 162A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB026N10NF2SATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark63AK1702
Rango de ProductoStronglRFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.360 |
| 10+ | $3.840 |
| 25+ | $3.520 |
| 50+ | $3.180 |
| 100+ | $2.760 |
| 250+ | $2.200 |
| 500+ | $2.080 |
| 1000+ | $1.960 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB026N10NF2SATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark63AK1702
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id162A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2200µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStronglRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
162A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StronglRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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