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IPB025N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark47W3462
También conocido comoIPB025N10N3 G, SP000469888
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.540 |
| 10+ | $4.370 |
| 25+ | $3.910 |
| 50+ | $3.450 |
| 100+ | $3.150 |
| 250+ | $2.940 |
| 500+ | $2.730 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark47W3462
También conocido comoIPB025N10N3 G, SP000469888
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Resistencia de Activación Rds(on)0.002ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia300
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB025N10N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 100 V que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con otros transistores, este MOSFET logra una reducción del 30% tanto en RDS (encendido) como en FOM (Figura de mérito). El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente rendimiento de conmutación
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.002ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPB025N10N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto