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IPB025N08N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N08N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark60R2648
También conocido comoIPB025N08N3 G, SP000311980
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.640 |
| 10+ | $3.750 |
| 25+ | $3.390 |
| 50+ | $3.040 |
| 100+ | $2.680 |
| 250+ | $2.550 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N08N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark60R2648
También conocido comoIPB025N08N3 G, SP000311980
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia de Activación Rds(on)0.002ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB025N08N3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ de referencia líder en rendimiento. Es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para aplicaciones de generación de energía, suministro de energía y consumo de energía.
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Resistencia térmica superior
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.002ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPB025N08N3GATMA1
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
