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IPB015N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB015N06NF2SATMA1
No. Parte Newark69AK4399
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
246 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.480 |
| 10+ | $2.110 |
| 25+ | $2.000 |
| 50+ | $1.910 |
| 100+ | $1.810 |
| 250+ | $1.720 |
| 500+ | $1.660 |
| 1600+ | $1.610 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB015N06NF2SATMA1
No. Parte Newark69AK4399
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1200µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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