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IPA95R450P7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA95R450P7XKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark71AC0380
Rango de ProductoCoolMOS P7
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.730 |
| 10+ | $2.570 |
| 100+ | $1.900 |
| 500+ | $1.620 |
| 1000+ | $1.590 |
| 2500+ | $1.560 |
| 5000+ | $1.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA95R450P7XKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark71AC0380
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds950
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia de Activación Rds(on)0.38ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.45
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd30W
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Dispositivo de alimentación CoolMOS™ P7 SJ de 950V recomendado para topologías flyback para iluminación LED, cargadores y adaptadores de bajo consumo, smartMeter, AUXpower y alimentación industrial. También apto para etapa PFC en aplicaciones solares y de consumo.
- Protección ESD de diodo Zener integrada
- La mejor calidad y confiabilidad de CoolMOS™ en su clase
- Portafolio totalmente optimizado
- Habilitación de diseños de mayor densidad de potencia, ahorros en la lista de materiales y costos de ensamblaje más bajos
- Fácil de manejar y conectar en paralelo
- Mejor rendimiento de producción al reducir las fallas relacionadas con ESD
- Menos problemas de producción y retornos de campo reducidos
- Fácil de seleccionar las piezas correctas para el ajuste fino de los diseños
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
950
Resistencia de Activación Rds(on)
0.38ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
30W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.45
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto