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IPA60R199CPXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA60R199CPXKSA1
No. Parte Newark33P7116
También conocido comoIPA60R199CP, SP000094146
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.410 |
| 10+ | $2.890 |
| 25+ | $2.810 |
| 50+ | $2.710 |
| 100+ | $2.630 |
| 250+ | $2.390 |
| 500+ | $2.140 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA60R199CPXKSA1
No. Parte Newark33P7116
También conocido comoIPA60R199CP, SP000094146
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.199
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd34W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia34
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPA60R199CP es un MOSFET de potencia CoolMOS™ de canal N de 650V diseñado para topologías de conmutación duras y blandas, CCM PFC, así como PWM para ATX, adaptador de computadora portátil PDP y TV LCD. El CoolMOS™ MOSFET ofrece una reducción significativa de las pérdidas de conducción, conmutación y conducción y permite una alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores. La última generación de MOSFET de potencia de alto voltaje hace que las fuentes de alimentación de CA-CD sean más eficientes, más compactas, más livianas y más frías que nunca.
- Cifra más baja de mérito R en x Qg
- Ultra baja carga de compuerta
- Extremo clasificado dV/dt
- Conmutación muy rápida
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.199
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
34W
Disipación de Potencia
34
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPA60R199CPXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65