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IPA60R190C6XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 59 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA60R190C6XKSA1
No. Parte Newark30T1823
Rango de ProductoCoolMOS
También conocido comoIPA60R190C6, SP000621152
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id59
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19
Resistencia de Activación Rds(on)0.17ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd34W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia34
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
59
Resistencia de Activación Rds(on)
0.17ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
34W
Disipación de Potencia
34
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPA60R190C6XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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