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IMZA120R020M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 98 A, 1.2 kV, 0.0269 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R020M1HXKSA1
No. Parte Newark32AK4935
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
260 En Inventario
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180 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.790 |
| 5+ | $13.790 |
| 10+ | $13.790 |
| 25+ | $13.790 |
| 50+ | $13.790 |
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| 480+ | $13.790 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R020M1HXKSA1
No. Parte Newark32AK4935
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id98
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0269
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia375
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Disipación de Potencia
375
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
98
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0269
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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