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IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R107M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark78AH7251
Rango de ProductoCoolSiC M1
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.710 |
| 10+ | $6.800 |
| 25+ | $5.890 |
| 50+ | $4.980 |
| 100+ | $4.650 |
| 250+ | $4.370 |
| 500+ | $4.280 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R107M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark78AH7251
Rango de ProductoCoolSiC M1
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.107
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia75
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolSiC M1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.107
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
75
Rango de Producto
CoolSiC M1
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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