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IMT65R050M2HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R050M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1126
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.820 |
| 10+ | $4.810 |
| 25+ | $4.590 |
| 50+ | $4.380 |
| 100+ | $4.160 |
| 250+ | $3.990 |
| 500+ | $3.800 |
| 1000+ | $3.370 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R050M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1126
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id48.1
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046
Diseño de TransistorHSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia237
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
48.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
237
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto