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IMDQ65R015M2HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 94 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ65R015M2HXUMA1
No. Parte Newark25AM8245
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.130 |
| 10+ | $10.370 |
| 25+ | $9.680 |
| 50+ | $9.300 |
| 100+ | $8.920 |
| 250+ | $8.560 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.13
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ65R015M2HXUMA1
No. Parte Newark25AM8245
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id94
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia499
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
94
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
499
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto