Imprimir página
IMBG65R107M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R107M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26AK5711RL
Cinta adhesiva26AK5711
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Su número de pieza
3 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.370 | $7.37 |
| Total Precio | $7.37 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.370 |
| 50+ | $3.940 |
| 100+ | $3.610 |
| 250+ | $3.530 |
| 500+ | $3.440 |
| 1000+ | $3.370 |
| 2500+ | $3.300 |
| 5000+ | $3.230 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R107M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26AK5711RL
Cinta adhesiva26AK5711
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id24
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.107
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia110
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
110
Rango de Producto
CoolSiC M1 Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.107
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto