Imprimir página
IMBG65R072M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R072M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark26AK5709
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 51 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.270 |
| 10+ | $4.970 |
| 25+ | $4.650 |
| 50+ | $4.330 |
| 100+ | $4.000 |
| 250+ | $3.960 |
| 500+ | $3.900 |
| 1000+ | $3.700 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.27
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R072M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark26AK5709
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.072
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia140
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC M1 Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.072
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto