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IMBG65R022M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R022M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26AK5704RL
Cinta adhesiva26AK5704
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
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736 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $18.220 | $18.22 |
| Total Precio | $18.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.220 |
| 50+ | $11.250 |
| 100+ | $11.030 |
| 250+ | $10.800 |
| 500+ | $10.580 |
| 1000+ | $10.350 |
| 2500+ | $10.130 |
| 5000+ | $9.900 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R022M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26AK5704RL
Cinta adhesiva26AK5704
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id64
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC M1 Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC M1 Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto