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IMBG65R010M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R010M2HXTMA1
No. Parte Newark24AM0465
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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Hoja de datos técnicos
109 En Inventario
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9 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.950 |
| 10+ | $16.160 |
| 25+ | $15.430 |
| 50+ | $14.700 |
| 100+ | $13.970 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R010M2HXTMA1
No. Parte Newark24AM0465
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id158
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9100µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia535
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
158
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9100µohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
535
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto