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IMBG120R220M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R220M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5312RL
Cinta adhesiva92AH5312
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
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570 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.550 | $5.55 |
| Total Precio | $5.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.550 |
| 50+ | $2.930 |
| 100+ | $2.690 |
| 250+ | $2.590 |
| 500+ | $2.490 |
| 1000+ | $2.440 |
| 2500+ | $2.390 |
| 5000+ | $2.340 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R220M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5312RL
Cinta adhesiva92AH5312
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id13
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd83W
Disipación de Potencia83
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
83
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto