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IMBG120R034M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CHANNEL, 1.2KV/58A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R034M2HXTMA1
No. Parte Newark20AM2571
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.140 |
| 10+ | $7.050 |
| 25+ | $6.680 |
| 50+ | $6.320 |
| 100+ | $5.960 |
| 250+ | $5.860 |
| 500+ | $5.750 |
| 1000+ | $5.640 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.14
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R034M2HXTMA1
No. Parte Newark20AM2571
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id58
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia278
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
278
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto