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IKW50N60H3FKSA1
IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pines
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW50N60H3FKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 41 semanas |
| No. Parte Newark | 50Y1991 |
| También conocido como | IKW50N60H3, SP000852244 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
358 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.080 |
| 10+ | $5.070 |
| 25+ | $4.850 |
| 50+ | $4.630 |
| 100+ | $4.410 |
| 250+ | $4.260 |
| 500+ | $4.110 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW50N60H3FKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 41 semanas |
| No. Parte Newark | 50Y1991 |
| También conocido como | IKW50N60H3, SP000852244 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Corriente de Colector DC | 100A |
| Corriente del Colector Continua | 100 |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.85 |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 1.85V |
| Disipación de Potencia | 333 |
| Disipación de Potencia Pd | 333W |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The IKW50N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
| Corriente de Colector DC | 100A |
|---|---|
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.85 |
| Disipación de Potencia | 333 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Corriente del Colector Continua | 100 |
|---|---|
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 1.85V |
| Disipación de Potencia Pd | 333W |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |