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IKW50N60H3FKSA1
IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW50N60H3FKSA1
No. Parte Newark50Y1991
También conocido comoIKW50N60H3, SP000852244
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.250 |
| 10+ | $4.240 |
| 25+ | $4.060 |
| 50+ | $3.880 |
| 100+ | $3.700 |
| 480+ | $3.610 |
| 720+ | $3.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW50N60H3FKSA1
No. Parte Newark50Y1991
También conocido comoIKW50N60H3, SP000852244
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC100A
Corriente del Colector Continua100
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85
Disipación de Potencia333
Disipación de Potencia Pd333W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IKW50N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
333
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
100
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85
Disipación de Potencia Pd
333W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
