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IKW40N120T2FKSA1
IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW40N120T2FKSA1Copiar
No. Parte Newark85X6005
También conocido comoIKW40N120T2, SP000244962
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.570 |
| 10+ | $5.410 |
| 25+ | $5.120 |
| 50+ | $4.840 |
| 100+ | $4.550 |
| 480+ | $4.430 |
| 720+ | $4.310 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW40N120T2FKSA1Copiar
No. Parte Newark85X6005
También conocido comoIKW40N120T2, SP000244962
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua75
Corriente de Colector DC75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia Pd480W
Disipación de Potencia480
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IKW40N120T2 es un IGBT de baja pérdida en tecnología TrenchStop® de segunda generación con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación suave y rápida La tecnología TrenchStop® IGBT conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, debido a la combinación de la celda TrenchStop® y el concepto de parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación muy suave y rápida
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- Máxima eficiencia - bajas pérdidas de conducción y conmutación
- Alta confiabilidad del dispositivo
- Cortocircuito soportado por 10µs
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
75
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia Pd
480W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia
480
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto