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IKW25N120H3FKSA1
IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW25N120H3FKSA1Copiar
No. Parte Newark37T8082
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.320 |
| 10+ | $4.160 |
| 25+ | $4.070 |
| 50+ | $3.980 |
| 100+ | $3.900 |
| 480+ | $3.490 |
| 720+ | $3.070 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW25N120H3FKSA1Copiar
No. Parte Newark37T8082
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua25
Corriente de Colector DC25A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.4V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.4
Disipación de Potencia Pd326W
Disipación de Potencia326
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IKW25N120H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
25
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.4V
Disipación de Potencia Pd
326W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
25A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.4
Disipación de Potencia
326
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IKW25N120H3FKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto