IKP10N60TXKSA1

El IKP10N60T es un IGBT discreto de 600 V con un diodo controlado por emisor anti-paralelo muy suave y de recuperación rápida. La tecnología TRENCHSTOP™ IGBT permite una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo debido a la combinación del concepto de tope de celda superior y archivado de zanja. La combinación de IGBT con un diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción. El IGBT discreto es ideal para aplicaciones de cambio duro, así como para aplicaciones de cambio suave y otras aplicaciones resonantes.

• Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
• Pérdidas de conmutación bajas
• Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
• Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
• Emisiones bajas de EMI
• Baja carga de compuerta
• Distribución de parámetros muy ajustada.
• La más alta eficiencia
• Baja conducción y pérdidas de conmutación.