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IGLR70R200D2SXUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLR70R200D2SXUMA1
No. Parte Newark27AM0094
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.440 |
| 10+ | $1.570 |
| 25+ | $1.400 |
| 50+ | $1.240 |
| 100+ | $1.070 |
| 250+ | $0.961 |
| 500+ | $0.854 |
| 1000+ | $0.834 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLR70R200D2SXUMA1
No. Parte Newark27AM0094
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id9.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.24
Carga de Compuerta Típica1.26
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines8Pines
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IGLR70R200D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.2ohm typ at IG =7.1mA; ID =2.1A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.24
Diseño de Transistor
TSON
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
9.3
Carga de Compuerta Típica
1.26
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
CoolGaN G5 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto