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IDH02SG120XKSA1
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Único, 1.2 kV, 2 A, 7.2 nC, TO-220
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDH02SG120XKSA1Copiar
No. Parte Newark12T7347
Rango de ProductoSerie thinQ 2G 1200V
También conocido comoIDH02SG120 , SP000541318
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 50+ | $2.280 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDH02SG120XKSA1Copiar
No. Parte Newark12T7347
Rango de ProductoSerie thinQ 2G 1200V
También conocido comoIDH02SG120 , SP000541318
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoSerie thinQ 2G 1200V
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2
Corriente Directa Promedio2
Carga Capacitiva Total7.2
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-220
No. de Pines2 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para el número de pieza IDH02SG120XKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
Serie thinQ 2G 1200V
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2
Carga Capacitiva Total
7.2
No. de Pines
2 Pines
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
2
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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