IDD10SG60C

El IDD10SG60C es un diodo Schottky de SiC de 600V de tercera generación thinQ!™ que presenta la capacitancia de dispositivo más baja de la industria para cualquier clasificación de corriente dada, lo que mejora aún más la eficiencia general del sistema, especialmente en frecuencias de conmutación más altas y en condiciones de carga baja. Es un diodo Infineon Sic de tercera generación. La generación 3 se basa en la misma plataforma tecnológica que la generación 2 con la introducción, a nivel de paquete, de la llamada soldadura por difusión. Ofrece un comportamiento de conmutación de referencia, sin recuperación inversa/sin recuperación directa y alta capacidad de corriente transitoria. Se utiliza en unidades de motor, aplicaciones solares, UPS, SMPS (CCM, PFC), servidor, telecomunicaciones, iluminación, alimentación de PC, aplicaciones CA-CD.

• Material semiconductor revolucionario: carburo de silicio
• Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
• Chapado libre de plomo
• Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
• Voltaje de ruptura probado a 20mA
• Optimizado para operación a alta temperatura
• Figura más baja de mérito QC/IF
• Mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si
• Requisitos de refrigeración reducidos
• Habilitación de mayor frecuencia/mayor densidad de potencia
• Mayor confiabilidad del sistema debido a una temperatura de funcionamiento más baja
• EMI reducido
• Alta temperatura de funcionamiento (Tj máx. 175°C)