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IAUS200N08S5N023ATMA1
MOSFET AEC-Q101 CANAL N 200A PG-HSOG-8
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.850 |
| 10+ | $3.200 |
| 25+ | $2.890 |
| 50+ | $2.580 |
| 100+ | $2.270 |
| 250+ | $2.100 |
| 500+ | $1.950 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIAUS200N08S5N023ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark52AH3781
Rango de ProductoOptiMOS-5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPG-HSOG
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia200W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS-5
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Diseño de Transistor
PG-HSOG
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS-5
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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