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GS66508TMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS66508TMRXUSA1
No. Parte Newark42AM5364
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063
Carga de Compuerta Típica6.1
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
30
Carga de Compuerta Típica
6.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto