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FZ2400R12HP4HOSA2
Módulo IGBT, Interruptor Sencillo, 2.4 kA, 1.7 V, 12.5 kW, 175 °C, Module
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1,195.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1,195.78
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFZ2400R12HP4HOSA2
No. Parte Newark25AJ0841
Rango de ProductoIHM-B
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle Switch
Corriente del Colector Continua2.4
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia12.5
Temperatura de Trabajo Máx.175
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoIHM-B
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
FZ2400R12HP4HOSA2 is a 1200V single switch IGBT module with soft-switching Trench-IGBT4. Potential applications include high-power converters, motor drives, wind turbines.
- High power density, standardized IHMB housing
- Extended operation temperature Tvj op
- 4kV AC (1min) insulation
- Package with CTI greater than 400, UL recognized
- 140mm (5.51inch) width, 130mm (5.11inch) length
- Collector-emitter voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC collector current is 2400A at TC = 95°C, Tvj max = 175°C
- Forward voltage is 1.8V typ at IF = 2400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single Switch
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
12.5
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Tab
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
2.4
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
IHM-B
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto