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FS03MR12A6MA1BBPSA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 400A, MODULE-32
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFS03MR12A6MA1BBPSA1
No. Parte Newark56AJ9844
Rango de ProductoHybridPACK CoolSiC
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFS03MR12A6MA1BBPSA1
No. Parte Newark56AJ9844
Rango de ProductoHybridPACK CoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSixPack
Tipo de CanalSix N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id400
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00275
Diseño de TransistorModule
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHybridPACK CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FS03MR12A6MA1BBPSA1 is a HybridPACK™ Drive module with CoolSiC™ automotive MOSFET. It is designed for demanding applications such as automotive applications, hybrid electrical vehicles (H)EV, motor drives and commercial agriculture vehicles.
- VDSS 1200V for high-voltage applications
- Nominal drain current ID 400A
- Silicon Carbide (SiC) semiconductor for high efficiency
- Low RDS(on) minimizes conduction losses, low switching losses for faster operation
- 4.2kV DC 1sec insulation
- Low gate charge (Qg) and Crss for efficient switching
- Low inductive design less than 10nH reduces overshoot
- Operating junction temperature up to 150°C
- Compact, high-power-density design with direct-cooled PinFin base plate
- Integrated NTC sensor, PressFIT contacts
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
SixPack
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00275
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
HybridPACK CoolSiC
Tipo de Canal
Six N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
400
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto