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FP35R12W2T4
Módulo IGBT, PIM, 35 A, 2.25 V, 215 W, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP35R12W2T4
No. Parte Newark84R7210
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP35R12W2T4
No. Parte Newark84R7210
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM
Corriente del Colector Continua35A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Disipación de Potencia215W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPress Fit
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Press Fit
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
35A
Disipación de Potencia
215W
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto