FM25W256-G

El FM25W256-G es un dispositivo FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) SPI de 256 Kbits (32 K × 8 bits) en encapsulado SOIC de 8 pines. Esta memoria no volátil permite operaciones de lectura y escritura similares a las de una memoria RAM. Ofrece una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de fiabilidad a nivel de sistema asociados a las memorias flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el FM25W256 realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el dispositivo ofrece una resistencia a la escritura considerablemente mayor que otras memorias no volátiles. La FM25W256 ofrece ventajas sustanciales a los usuarios de memorias EEPROM o Flash serie, al servir como reemplazo directo de hardware.

• Alta resistencia 100 billones (10^14) de lectura/escritura
• Calificación de grado automotriz AEC-Q100
• Proceso ferroeléctrico avanzado alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 20MHz
• Sistema de protección contra escritura avanzado.
• Bajo consumo de energía
• Corriente activa de 250μA a 1MHz
• Corriente típica en modo de espera de 15μA
• Amplio rango de voltaje de funcionamiento entre 2.7V y 5.5V
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C