FM25V02A-GTR

FM25V02A-GTR es una memoria no volátil en serie de 256 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la memoria flash serial, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el FM25V02A realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. El FM25V02A es capaz de soportar 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 256Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 32K × 8
• Retención de datos durante 151 años, escritura No Delay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 40MHz, reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM
• Protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura (WP activo bajo)
• Protección de software mediante instrucción de deshabilitación de escritura
• Rango de voltaje VDD de 2.0V a 3.6V
• La corriente de suministro de VDD es de 2.5mA como máximo a (fSCK = 40MHz)
• La corriente de reserva VDD es de 90µA típica en (CS activo bajo = VDD. Todas las demás entradas VSS o VDD)
• La corriente del modo de suspensión es de 5µA típica en (CS activo bajo = VDD). Todas las demás entradas VSS o VDD)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete SOIC de 8 pines