FM24VN10-G

FM24VN10-G es una memoria no volátil de 1Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona una retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24V10 realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Además, la F-RAM exhibe un consumo de energía mucho menor durante las escrituras que la EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de suministro de energía internamente elevado para los circuitos de escritura.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 1Mbit (F-RAM) organizada lógicamente como 128K × 8
• Retención de datos durante 151 años, escritura No Delay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 3.4MHz, reemplazo directo de hardware para EEPROM serial (I²C)
• Rango de voltaje VDD de 2.0V a 3.6V
• La corriente VDD promedio es de 175µA como máximo a (fSCL = 100KHz)
• La corriente en espera es 90µA típica en (SCL = SDA = VDD)
• La corriente del modo de suspensión es de 5µA típica en (SCL = SDA = VDD)
• La resistencia de entrada es de 50Kohm mín. a (para VIN = VIL (máx.))
• La capacitancia del pin de entrada es de 6pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VDD = VDD)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete SOIC de 8 pines