FM24CL16B-GTR

FM24CL16B-GTR es una memoria no volátil de 16 Kbit en un paquete SOIC de 8 pines. Un F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24CL16B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Además, la F-RAM exhibe un consumo de energía mucho menor durante las escrituras que la EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de suministro de energía internamente elevado para los circuitos de escritura. El FM24CL16B es capaz de soportar 10^14 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que la EEPROM.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 16Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 2K × 8
• Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Interfaz serie rápida de 2 hilos (I2C)
• Bajo consumo de energía: 100µA de corriente activa a 100kHz, 3µA (típ.) de corriente en espera.
• Operación de bajo voltaje: VDD = 2.7V a 3.65V
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C