FM24CL04B-G

El FM24CL04B-G es un dispositivo FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) I2C de 4 Kbits (512 × 8 bits) en encapsulado SOIC de 8 pines. Esta memoria no volátil permite operaciones de lectura y escritura similares a las de una memoria RAM. Ofrece una retención de datos fiable durante 151 años, eliminando al mismo tiempo las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel de sistema asociados a las memorias EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24CL04B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el dispositivo ofrece una resistencia a la escritura considerablemente mayor que otras memorias no volátiles. El FM24CL04B proporciona importantes ventajas a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como reemplazo directo del hardware.

• Alta resistencia 100 billones (10^14) de lectura/escritura
• Calificación de grado automotriz AEC-Q100
• Proceso ferroeléctrico avanzado alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 1MHz
• Admite tiempos heredados de 100 KHz y 400 KHz
• Bajo consumo de energía
• Corriente en modo activo de 100μA a 100kHz
• Corriente típica en modo de espera de 3μA
• Rango de voltaje de funcionamiento desde 2.7V hasta 3.65V
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C