FM24C64B-G

El FM24C64B-G es una FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) serie I2C de 64 Kbit (8K × 8) en un paquete SOIC de 8 pines. Esta memoria no volátil emplea un proceso ferroeléctrico avanzado y realiza lecturas/escrituras similares a la RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años y al mismo tiempo elimina complejidades, gastos generales y problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, el FM24C64B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus y no se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. La memoria FRAM consume mucha menos energía durante la operación de escritura que la EEPROM, ya que dichas operaciones no requieren una tensión de alimentación elevada internamente para los circuitos de escritura. La FM24C64B ofrece ventajas considerables a los usuarios de memorias EEPROM serie (I2C) como sustituto directo a nivel de hardware.

• Calificación de grado automotriz AEC-Q100
• Proceso ferroeléctrico avanzado alta confiabilidad
• Alta resistencia de 100 billones de operaciones de lectura/escritura.
• Frecuencia de hasta 1MHz
• Admite tiempos heredados de 100 KHz y 400 KHz
• Bajo consumo de energía
• Corriente en modo activo de 100μA a 100kHz
• Corriente en espera de 4μA
• Rango de voltaje de alimentación operativa (VDD) de 4.5V a 5.5V
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C