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FF900R12ME7B11NPSA1
Módulo IGBT, Doble, 900 A, 1.5 V, 175 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF900R12ME7B11NPSA1
No. Parte Newark38AJ3583
Rango de ProductoEconoDUAL 3 Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $178.080 |
| 5+ | $171.520 |
| 10+ | $164.960 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF900R12ME7B11NPSA1
No. Parte Newark38AJ3583
Rango de ProductoEconoDUAL 3 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua900
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.5
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTIGBT7 [Parada de trinchera]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEconoDUAL 3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
900
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Tecnología IGBT
IGBT7 [Parada de trinchera]
Rango de Producto
EconoDUAL 3 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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