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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF650R17IE4
No. Parte Newark84R7186
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual
Corriente del Colector Continua650A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2V
Disipación de Potencia4.15kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
650A
Disipación de Potencia
4.15kW
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto