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FF450R12KE4EHOSA1
Arreglo & Módulo Transistor IGBT, Canal N, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Módulo
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF450R12KE4EHOSA1
No. Parte Newark34AC1487
Rango de ProductoStandard 62mm C
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF450R12KE4EHOSA1
No. Parte Newark34AC1487
Rango de ProductoStandard 62mm C
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDual, Common Emitter
Corriente del Colector Continua520
Corriente de Colector DC520A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia2.4
Disipación de Potencia Pd2.4kW
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoStandard 62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Módulo de la serie C de 62mm con IGBT4 rápido de trinchera/tope de campo y diodo HE controlado por emisor adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, convertidores de alta potencia, aplicaciones solares y sistemas UPS.
- Aumento del voltaje de enlace de CD
- Trinchera IGBT 4
- Aislamiento mínimo de 4KV AC1
- Paquete con CTI<gt/> 400
- Grandes distancias de fuga y espacio libre
- Placa base aislada
- Placa base de cobre
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
520
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
2.4
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
Standard 62mm C
Configuración IGBT
Dual, Common Emitter
Corriente de Colector DC
520A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia Pd
2.4kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto