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FF200R12KT4HOSA1
Módulo IGBT, Doble [medio puente], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $98.300 |
| 5+ | $87.620 |
| 10+ | $76.950 |
| 30+ | $76.610 |
| 50+ | $76.280 |
| 100+ | $75.950 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R12KT4HOSA1
No. Parte Newark27X9041
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Corriente del Colector Continua320
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.1
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia
1.1
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
320
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FF200R12KT4HOSA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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