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FF200R12KE3HOSA1
Módulo IGBT, Doble, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R12KE3HOSA1
No. Parte Newark13AC8638
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R12KE3HOSA1
No. Parte Newark13AC8638
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua295A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia1.05kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
295A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia
1.05kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FF200R12KE3HOSA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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