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F411MR12W2M1HPB76BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Cuádruple, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF411MR12W2M1HPB76BPSA1
No. Parte Newark87AK9874
Rango de ProductoEasyPACK Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $151.550 |
| 5+ | $142.660 |
| 10+ | $133.760 |
| 25+ | $124.870 |
| 50+ | $121.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF411MR12W2M1HPB76BPSA1
No. Parte Newark87AK9874
Rango de ProductoEasyPACK Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPaquete Cuádruple
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0108ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines34Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEasyPACK Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Paquete Cuádruple
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0108ohm
No. de Pines
34Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
20mW
Rango de Producto
EasyPACK Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto