CY7C109D-10VXI

La CY7C109D-10VXI es una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento de 1MB organizada en 131072 palabras de 8 bits. La fácil expansión de la memoria se proporciona mediante una habilitación de chip BAJO activa, una habilitación de chip ALTO activa, una habilitación de salida BAJA activa y controladores triestado. Los ocho pines de entrada y salida se colocan en un estado de alta impedancia. Escriba en el dispositivo tomando las entradas de habilitación de chip uno y habilitación de escritura BAJA y la entrada de habilitación de chip dos ALTA. Luego, los datos de los ocho pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. Lea desde el dispositivo tomando la habilitación de chip uno y la habilitación de salida BAJA mientras fuerza la habilitación de escritura y la habilitación de chip dos ALTAS. En estas condiciones, el contenido de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparece en los pines de E/S. El dispositivo CY7C109D es adecuado para interactuar con procesadores que tienen niveles I/P TTL. No es adecuado para procesadores que requieren niveles I/P CMOS.

• Pin y función compatibles con CY7C109B/CY7C1009B
• Alta velocidad- 10ns
• Baja potencia activa
• Bajo consumo de energía en modo de espera de CMOS
• Retención de datos 2V
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Fácil expansión de memoria con CE y OE