Imprimir página
CY7C1071DV33-12BAXI
SRAM, SRAM asíncrona, 32 Mbit, 2M x 16bit, FBGA, 48 Pines, 3 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
195 En Inventario
¿Necesita más?
10 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
185 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $155.400 | $85.410 |
| 5+ | $149.300 | $85.410 |
| 10+ | $143.200 | $85.410 |
| 25+ | $138.460 | $85.410 |
| 50+ | $134.950 | $85.410 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$85.41
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1071DV33-12BAXI
No. Parte Newark39AH8802
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria32
Configuración de Memoria2M x 16bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines48Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.3
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY7C1071DV33-12BAXI es una memoria RAM estática de 32 Mbit (2M × 16). Se trata de una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento, organizada en 2,097.152 palabras de 16 bits. Los pines de entrada y salida (E/S0 a E/S15) se colocan en un estado de alta
- Densidad de 32Mbit/s, ancho de datos × 16 bits, C9, tecnología de 90nm.
- Rango de voltaje de 3V a 3.6V, velocidad de 12 ns
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Entradas y salidas compatibles con TTL
- Capacitancia de entrada máxima de 16pF (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = 3.3V)
- VCC mínimo de 2V para retención de datos
- Rango de corriente de fuga de entrada de -1 a +1µA
- Rango de corriente de fuga de salida: de -1 a +1µA
- Resistencia térmica de 24.72 °C/W (unión a ambiente)
- Encapsulado FBGA de 48 bolas, rango de temperatura ambiente industrial de -40 a +85°C
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
2M x 16bit
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Mín.
3
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Densidad de Memoria
32
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto