CY7C1061GN30-10ZSXI

CY7C1061GN30-10ZSXI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 1.048.576 palabras por 16 bits. Para escribir en el dispositivo, tome la entrada BAJA de Habilitaciones de Chip (activo-bajo CE1 BAJO y activo-bajo CE2 ALTO) y Habilitación de Escritura (activo-bajo WE). Si Byte Low Enable (BLE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A19). Si Byte High Enable (BHE activo-bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S8 a E/S15) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A19). Para leer desde el dispositivo, coloque Chip Enables (activo-bajo CE1 BAJO y activo-bajo CE2 ALTO) y Output Enable (activo-bajo OE) BAJO mientras fuerza Write Enable (activo-bajo WE) ALTO. Si Byte Low Enable (BLE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparecen en I/O0 a I/O7. Si Byte High Enable (BHE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de la memoria aparecen en I/O8 a I/O15.

• Familia de SRAM asíncronas rápidas, densidad de 16Mbit, ancho de datos de 16 bits
• Tecnología de 65nm, voltaje de 2.2V a 3.6V, velocidad de 10ns, habilitación de doble chip
• Retención de datos de 1.0V, apagado automático cuando se deselecciona
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Ampliación de memoria sencilla con funciones CE1 y CE2 de nivel activo bajo
• La corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
• La corriente de suministro de funcionamiento de VCC es de 90mA típica a (VCC = máx., IOUT = 0mA, f = 100MHz)
• La capacitancia de entrada es de 10 pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = 3.3V)
• Corriente de apagado automático típico CE de 40 mA Entradas TTL a (máximo VCC, CE1 <gt/> VIH, CE2 <lt/> VIL)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete TSOP de 54 pines